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從樣本中獲取更多信息的方法:超薄碳膜
在透射電子顯微鏡分析中,數(shù)據(jù)可靠性主要取決于樣本制備的質(zhì)量。雖然一些納米材料(例如納米顆粒和蛋白質(zhì)等),本身就是電子透明的,無需進一步進行減薄處理,但是它們?nèi)孕璺稚⒌奖≈С帜ど?。碳膜支持膜是電子透明的,因此可以避免支持膜材料信號對樣品分析的干擾。無論是對納米材料還是生物納米結(jié)構(gòu)研究,碳支持膜的質(zhì)量和特性對樣品分析結(jié)果有重大的影響。
本應(yīng)用說明介紹了如何以可重復(fù)的方式制備超薄碳膜。這些支持膜可廣泛應(yīng)用于各種納米結(jié)構(gòu),有助于從樣本中獲得更多信息。
碳膜:如何定義“質(zhì)量"?
得益于機械強度、傳導(dǎo)性和熱穩(wěn)定性等優(yōu)勢,碳膜是一種wan mei的支持膜材料。常規(guī)碳沉積方法重復(fù)性差,導(dǎo)致超薄碳膜的制備過程耗時耗力。通過這種方法所制備的碳膜結(jié)構(gòu)和質(zhì)量,主要由碳蒸發(fā)參數(shù)決定,包括蒸發(fā)模式、真空度、蒸發(fā)率、工作距離和溫度。在詳細探討這些參數(shù)以及高質(zhì)量無定形碳膜的蒸發(fā)制備之前,我們必須先定義碳支持膜的“質(zhì)量"標準,然后再討論廣泛適用于電子顯微鏡應(yīng)用的碳支持膜需要滿足哪些條件。
對電子高透明度:支持膜的厚度和密度對圖像的襯度和分辨率有重要的影響。當支持膜的 質(zhì)厚與樣品相當時,就會減弱圖像中結(jié)構(gòu)細節(jié)的強度。
對電子束轟擊有較大的耐受度
厚度均勻:支持膜的厚度對圖像分析、定量和電子斷層成像至關(guān)重要。
無任何內(nèi)部結(jié)構(gòu)、表面不平整和污染物問題。
導(dǎo)電,以防止電荷積聚
易于制備和重復(fù)性高
然而,滿足上述條件的碳支持膜只是制備合格TEM樣品的第一步。第二步是將樣本添加至碳支持膜上。通常,樣本分散于水或溶劑中,其中經(jīng)常會含有剩余的反應(yīng)產(chǎn)物(例如表面活性劑、封端劑等),這些物質(zhì)很難去除,是TEM測試的污染源之一。即便在添加樣本之前預(yù)先清潔碳支持膜,樣本本身也還會引入污染物,并通過支持膜表面擴散至目標區(qū)域,在電子束作用下分解,并發(fā)生聚合反應(yīng)產(chǎn)生碳堆積,削弱樣品信號強度。很明顯,用于TEM樣本制備時,碳支持膜還需要滿足其它條件:
如果樣本分布于水中,支持膜應(yīng)通過輝光放電或能量較弱的等離子體進行親水化處理。整個處理過程不能損壞碳支持膜,并且該親水化處理對均勻地分布納米材料或生物結(jié)構(gòu)十分重要。
支持膜需要具備較好的機械穩(wěn)定性,以便在研究過程中進行操作。
支持膜應(yīng)能夠耐受其它后處理步驟,例如為清除污染物而執(zhí)行的高真空加熱處理。
簡而言之,制備過程中有兩步是至關(guān)重要的:
在基材上獲得“高質(zhì)量"的薄碳膜
將支持膜轉(zhuǎn)移至合適的支持結(jié)構(gòu)。
在基材上蒸鍍超薄膜
制備超薄碳膜時可以使用多種方法,其中,常用的是將一層5 nm的非晶碳蒸鍍在聚合物支持膜上(聚合物可以是Formvar、Butvar、Collodion等),隨后將聚合物膜溶解。但是這種方法會導(dǎo)致剩余的碳膜產(chǎn)生褶皺。
另外,未溶解的聚合物會導(dǎo)致碳支持膜膜不均勻或引入雜質(zhì)。另一種適合制備超薄碳膜的方法,是直接將碳膜蒸鍍在剛撕開的云母片上,并在水中分離碳膜,再將其轉(zhuǎn)移到Quantifoil或多孔碳膜上。為優(yōu)化碳支持膜的穩(wěn)定性和電荷消散性能,并減少成像過程中的振動,支撐結(jié)構(gòu)也bi bu ke shao。
我們可以通過不同的碳蒸鍍方法獲得非晶碳膜,其中電弧蒸發(fā)預(yù)成型石墨棒是zui chang yong方法。在該制備過程中,在支持膜上容易沉積形成大顆粒,導(dǎo)致厚度分布不均勻。另一個缺點是蒸鍍過程中的輻射熱會損傷對溫度敏感的樣品,導(dǎo)致碳膜產(chǎn)生褶皺,而且會形成尺寸較大的碳簇。同時,蒸鍍過程中大幅提升的壓力也會進一步促使這些碳簇形成(粒度變大)。
由此會導(dǎo)致在3-5 nm厚度的碳膜上,形成十分粗糙的表面。同時,高熱量也會影響石英晶振片的振蕩頻率,導(dǎo)致很難精確地、重復(fù)地制備碳膜。另外,高能蒸鍍的碳顆粒會形成較強的粘附作用,導(dǎo)致很難從云母基材上分離碳膜。很明顯,碳棒蒸發(fā)并不是重復(fù)地制備光滑超薄3 nm碳膜的*佳方法。
自適配的碳絲蒸發(fā)技術(shù)
靈活、精準、可再現(xiàn)
自適配的碳線蒸發(fā)技術(shù)可精準地、靈活地制備碳涂層,而且其適用性遠超本應(yīng)用案例中介紹的超薄碳膜。它的高靈活性得益于其du te的自適配工藝和多段設(shè)置方式。除蒸發(fā)模式外,電子設(shè)備也十分重要,尤其是蒸鍍對均勻性和精確性高要求的超薄薄膜時。我們能夠通過多次蒸鍍獲得超薄碳膜,整個過程可以設(shè)置由4組碳絲以脈沖模式進行蒸鍍,達到*高的精確性。
每次脈沖蒸鍍過程后,都會測定碳膜的厚度和剩余碳絲的狀態(tài),以此為下一次脈沖調(diào)整參數(shù)。蒸鍍過程中穩(wěn)定的高真空狀態(tài)(5x10-6 mbar)可以使超薄碳層沉積的更均勻。通過該方法沉積的碳膜無任何內(nèi)部結(jié)構(gòu)、不平整表面和污染物。另外,輻射到樣本的熱量也會顯著減少。如上圖所示,濾紙上連續(xù)地沉積了不同厚度的碳膜,從左至右厚度分別為:1、2、3、4和5 nm。另外,碳絲蒸鍍技術(shù)能均勻制備大面積樣品。下圖顯示了碳膜制備之前(A)和之后(B)大約10厘米的圓形濾紙狀態(tài)。
碳絲蒸鍍技術(shù)更重要的優(yōu)勢是兼具靈活性和可重復(fù)性。非晶碳膜的性能高度依賴于蒸鍍的參數(shù),例如蒸發(fā)率、真空和使用的模式等。一旦蒸鍍方案經(jīng)過優(yōu)化并保存后,就能夠可靠地、重復(fù)地制備一樣性能的碳膜。由于碳膜始終是繁復(fù)的樣品制備流程的一部分,因此可重復(fù)性至關(guān)重要。
超薄碳膜:制備流程
1,在一個干凈的有蓋培養(yǎng)皿中加入超純水。
2,在培養(yǎng)皿的底部放一張濾紙,然后小心地在濾紙上放置Quantifoils或多孔碳膜。
3,使用碳絲蒸鍍模式,在5x10-6 mbar的真空度下,在剛裂開的云母片上蒸鍍3nm后碳膜。然后以30°傾角慢慢將蒸鍍碳膜的云母片放入水中。在毛細力作用下,水會滲入碳膜和云母片之間,促使碳膜分離。
4,慢慢將濾紙從水中取出,確保方形碳膜沉積在網(wǎng)格上。
5,將濾紙移至一張新濾紙上,排出大部分水分,然后在加熱板上加熱10分鐘(40攝氏度)。
6,碳膜制備完成。
不同于Quantifoil支持膜(參見圖F),多孔板上的超薄膜非常干凈、均勻。通過擴散樣品方法制備TEM樣品的*佳程序是:用鑷子固定載網(wǎng),然后滴入一小滴分散液(約5 µl)。然后,將載網(wǎng)邊緣放在濾紙上,吸干多余的液體。必要時,可對超薄碳膜進行輝光放電或等離子體清洗(低泡沫,5%的氧氣,持續(xù)約30秒)。下圖展示了常規(guī)碳膜(左圖,15 nm碳)和超薄碳膜(右圖,3 nm)之間的區(qū)別。其中,右圖可以清楚地看到CdSe晶格點陣。
圖像由Eva Bladt和Sara Bals提供(安特衛(wèi)普大學EMAT)
樣品來源:Daniel Vanmaekelbergh,荷蘭烏得勒支大學德拜納米材料科學研究所